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Leistungshalbleiter-ICs

Treiber-ICs

Extrem schnelle GaN-Transistoren richtig steuern

Galliumnitrid-Transistoren schalten viel schneller und haben damit weniger Verluste als ihre Vettern aus Silizium. Allerdings sind sie in mancher Hinsicht nicht so robust. Entscheidend sind eine speziell darauf optimierte Gate-Ansteuerung und ein optimiertes Platinenlayout.

Infineon / Siliziumkarbid

Spritzgegossenes Power-Modul mit 1200-V-CoolSiC-MOSFETs

Mit dem CoolSiC CIPOS Maxi IM828 hat Infineon das nach eigener Aussage weltweit erste...

Für Industrie-Motor- und Pumpenantriebe

Erstes 1200-V-Modul mit SiC in gemoldetem Gehäuse

Infineon stellt das erste integriertes 1200-V-Leistungsmodul (IPM) mit Siliziumkarbid...

Rohm Semiconductor

VCSEL-Module verbessern 3D-Erkennung und Entfernungsmessung

Die neuen Laserlichtquellen von Rohm Semiconductor vom Typ VCSEL erreichen bei...

UnitedSiC / Siiliziumkarbid

Vierte Generation an SiC-Transistoren

Mit vier Bauteilen mit 750 V Sperrspannung eröffnet UnitedSiC die vierte Generation...

48 V für Rechenzentren

GaN pusht High-Density-Server

Für High Performance Computing (HPC), KI, Cloud Computing oder Big Data benötigen...

Galliumnitrid / Transphorm

Ist GaN wirklich zuverlässig?

Auch wenn Galliumnitrid (GaN) viele Vorteile zu bieten hat, bleiben Entwickler beim...

Bildverarbeitung

Herausforderungen beim Ultraschallsonden-Design

Fortschritte in der Halbleitertechnik ermöglichen kleinerer, weniger Strom...

Infineon / Gate-Treiber

SOI-Technologie ermöglicht Levelshift von 1200 V

Mit dem Gate-Treiber 6ED2230 hat Infineon seine EiceDRIVER-Familie um ein Bauteil...

Yole Développement

SiC-Halbleiterbranche trotz Covid-19-Pandemie sehr robust

Trotz der Auswirkungen der Covid-19-Pandemie prognostizieren die Analysten von Yole –...